光刻胶的化学成分 photoresist

大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于photoresist的问题，于是小编就整理了6个相关介绍photoresist的解答，让我们一起看看吧。

光刻胶的化学成分

光刻胶（photoresist，也作光致抗蚀剂，光阻），是一种由聚合物树脂（resin），光敏化合物（photoactive compound）和溶剂等混合而成的胶状液体，从成份上来讲，都是碳基有机化合物。
树脂，作为粘合剂的聚合物混合物，决定了光刻胶的机械和化学性能；
光敏化合物，决定了光刻胶的光敏感度：当受到特定波长能量束作用后，光敏化合物会分解或者聚合，激发化学反应，使受辐照区域在某些特定溶液中的溶解特性发生改变，或溶解性被增强或变得更难溶，进而形成光刻胶图案；
溶剂，则可以改变光刻胶的粘度，从而在合理的转速范围内得到所要的厚度

光刻胶是什么

光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。

光刻胶胶概念

光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。

在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。

在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶（包括紫外正、负性光刻胶）、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。

光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求。

中文名：光刻胶

外文名：photoresist

适用领域：

集成电路、平板显示器和半导体分离器件的制造等

所属学科：

化学>高分子化学>高分子加工技术和应用、信息科学技术、电子学>电子元器件工艺与分析技术

别名：

光致抗蚀剂

光刻胶都属于危险化学品吗

是危化品乙类产品。光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料，是危化品乙类产品之一。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。

光刻胶有几个国家可以制造

日本，中国，美国。日本的光刻胶质量是世界上最好的，产量在世界上也是最多的。

光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。

光阻、光阻剂、光刻胶是同一个意思吗

光刻胶（英语：photoresist），亦称为光阻或光阻剂，是指通过紫外光、深紫外光、电子束、离子束、X射线等光照或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，是光刻工艺中的关键材料，主要应用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工。

到此，以上就是小编对于photoresist的问题就介绍到这了，希望介绍关于photoresist的6点解答对大家有用。